此式通常用来计算进入到传输线导体内部而被导体耗散的有功功率，只有构成传输线结构的导体是非理想导体时才存在。这种方法的要点是：
（1）用理想导体边界条件下得出的导体表面切向磁场，近似表示出非理想导体条件下，进入非理想导体内部的复数坡印亭矢量。该坡印亭矢量垂直于非理想导体表面，等于从非理想导体表面单位面积进入非理想导体内部的复功率。
（2）沿非理想导体表面对该坡印亭矢量积分，再取实部即可得到进入非理想导体内部而被耗散的有功功率。
（3）取实部运算作用于非理想导体波阻抗，即得到非理想导体表面电阻。
对此式的理解可参考：
[1]《微波技术基础》第35页（1-8-11）式对导体表面电阻的定义。
[2]《微波技术基础》第170页（3-8-23）式到（3-8-25）式对所谓“微扰法”的说明。
[3]电子工业社出版，Pozar编著《微波工程》第28-29页1.7.5节对“表面阻抗”的说明。
[4]电子工业社出版，Pozar编著《微波工程》第71页 2.7.4节对“微扰法”的说明。
本课程要求：对本式及相关运算达到理解程度即可。
一些同学在课上问到，如果感兴趣可以继续深入钻研。
